臺灣明緯led電源如何選型？

怕打屁股

ORingFET應(yīng)用中，MOS管的作用是開關(guān)器件，但是由于服務(wù)器類應(yīng)用中電源不間斷工作，這個開關(guān)實際上始終處于導(dǎo)通狀態(tài)。其開關(guān)功能只發(fā)揮在啟動和關(guān)斷，以及電源出現(xiàn)故障之時。相比從事以開關(guān)為核心應(yīng)用的設(shè)計人員，ORingFET應(yīng)用設(shè)計人員顯然必需關(guān)注MOS管的不同特性。以服務(wù)器為例，在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個導(dǎo)體。因此，ORingFET應(yīng)用設(shè)計人員*關(guān)心的是*小傳導(dǎo)損耗。低RDS(ON)可把BOM及PCB尺寸降至*小一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗;對ORingFET應(yīng)用來說，RDS(ON)也是*重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對于充分的柵極驅(qū)動，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。若設(shè)計人員試圖開發(fā)尺寸*小、成本的電源，低導(dǎo)通阻抗更是加倍的重要。在電源設(shè)計中，每個電源常常需要多個ORingMOS管并行工作，需要多個器件來把電流傳送給負(fù)載。在許多情況下，設(shè)計人員必須并聯(lián)MOS管，以有效降低RDS(ON)。需謹(jǐn)記，在DC電路中，并聯(lián)電阻性負(fù)載的等效阻抗小于每個負(fù)載單獨的阻抗值。比如，兩個并聯(lián)的2Ω電阻相當(dāng)于一個1Ω的電阻。因此，一般來說，一個低RDS(ON)值的MOS管，具備大額定電流，就可以讓設(shè)計人員把電源中所用MOS管的數(shù)目減至*少。除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數(shù)也對電源設(shè)計人員非常重要。許多情況下，設(shè)計人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊上的安全工作區(qū)(SOA)曲線，該曲線同時描述了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系?；旧?，SOA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORingFET應(yīng)用中，首要問題是：在完全導(dǎo)通狀態(tài)下FET的電流傳送能力。實際上無需SOA曲線也可以獲得漏極電流值。

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